以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率LED的方法

摘要

本发明公开了一种以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率LED的方法，属于烧结封装连接大功率LED的技术。该方法采用粒径小于100nm纳米银粒子、以分散剂鱼油、粘结剂α-松油醇和溶剂丙酮在超声水浴协助下均匀混合制备而成的纳米银焊膏，低温烧结封装连接大功率发光二极管，其特征包括以下过程：利用丝网印刷或点胶机将纳米银焊膏注射于基板上连接发光二极管，然后放入烧结炉中烧结，烧结工艺为：以10℃/min的升温速率，升至50℃-70℃之后，滞留10-12min消除丙酮，再以10℃/min的升温速率，升至最高温度290℃后，滞留时35-40min确保粘接强度，然后自然冷却至室温，实现大功率发光二极管的烧结封装。本发明的优点在于改善了LED封装材料在导电率、导热率、粘接强度、耐高温方面的不足。

主权项

1.一种以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率发光二极管的方法，方法采用粒径小于100nm纳米银粒子、以分散剂鱼油、粘结剂α-松油醇和溶剂丙酮在超声水浴协助下均匀混合制备而成的纳米银焊膏，低温烧结封装连接大功率发光二极管，其特征在于包括以下过程：利用丝网印刷或点胶机将纳米银焊膏注射于基板上连接发光二极管，然后放入烧结炉中烧结，烧结工艺为：以10℃/min的升温速率，升至50℃-70℃之后，滞留10-12min消除丙酮，再以10℃/min的升温速率，升至最高温度290℃后，滞留35-40min确保粘接强度，然后自然冷却至室温，实现大功率发光二极管的烧结封装。