线放电加工方法、半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制造方法

摘要

本发明涉及对太阳能电池用硅等的不良导体的线放电加工方法，和基于该线放电加工方法的半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制造方法。本发明提供通过在线电极上施加脉冲宽度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且线电极在加工时的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉冲电压，在上述线电极与加工对象物之间发生放电脉冲，对大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的高电阻率硬脆材料进行放电加工的方法。

主权项

1.一种线放电加工方法，通过在线电极上施加脉冲宽度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且线电极在加工时的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉冲电压，在上述线电极与具有大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的电阻率的加工对象物之间发生放电脉冲，对上述加工对象物进行加工。