集成电路结构

摘要

本发明涉及一种集成电路结构，包括衬底、位于衬底之中的从一端逐渐变窄的穿透硅通道、由衬底上表面延伸进入衬底的硬掩膜区，其中此硬掩膜围绕穿透硅通道的上方部分、位于衬底上的介电层、以及由介电层的上表面向穿透硅通道延伸的金属柱，其中金属柱包含与穿透硅通道的填充材料相同的材料。

主权项

1、一种集成电路结构，包括：衬底；穿透硅通道，位于该衬底之内，其中该穿透硅通道从一端逐渐变窄；硬掩膜，由该衬底的上表面延伸进入该衬底，其中该硬掩膜环绕该穿透硅通道的上方部分；多个介电层，位于该衬底上方；以及金属柱，由该介电层的上表面延伸至该穿透硅通道，其中该金属柱包括与该穿透硅通道的填充材料相同的材料。