| 发明名称 | 电解镀镍设备及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及电解镀镍设备及半导体器件的制造方法。本发明目的在于提供一种电解镀镍设备，该电解镀镍设备能够抑制镍阳极表面的钝化，防止电流效率和膜形成速率的降低，提供了稳定的镀镍从而有助于提高质量，并维持稳定的生产量。该电解镀镍设备设有具有10μm或更小的平均晶粒尺寸的镍(Ni)阳极。 | ||
| 申请公布号 | CN101307482A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200810008609.8 | 申请日期 | 2008.01.29 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 橘裕昭 |
| 分类号 | C25D17/10(2006.01);C25D7/12(2006.01);H01L21/288(2006.01) | 主分类号 | C25D17/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种电解镀镍设备，设有具有10μm或更小的平均晶粒尺寸的镍(Ni)阳极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||