| 发明名称 | MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法生长一层或多层外延层；步骤3：在外延材料表面淀积一层或多层金属薄层；步骤4：退火；步骤5：腐蚀掉外延材料表面的金属薄层。 | ||
| 申请公布号 | CN101308795A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200710099292.9 | 申请日期 | 2007.05.16 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 韦欣 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01);H01L21/205(2006.01);C23C16/56(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法生长一层或多层外延层；步骤3：在外延材料表面淀积一层或多层金属薄层；步骤4：退火；步骤5：腐蚀掉外延材料表面的金属薄层。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||