| 发明名称 | 半导体机台的改良机构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种适用于晶圆制程，具有快速清洁以及提高效率的半导体机台的改良机构。此半导体机台包括一蚀刻制程室、多个沉积制程室、以及一移转室。蚀刻制程室具有多个晶圆载盘与一溅射清洁装置。移转室设置于蚀刻制程室与多个沉积制程室之间，且用于移转蚀刻制程室与多个沉积制程室内的多个晶圆。此半导体机台借助蚀刻制程室内多个晶圆载盘的配置，达到提升溅射清洁效率的功能，以提高半导体制程效率。 | ||
| 申请公布号 | CN201153117Y | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200720125506.0 | 申请日期 | 2007.08.17 |
| 申请人 | 力鼎精密股份有限公司 | 发明人 | 刘相贤;简文隆;郑启民;蔡明仑;江宗宪 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3105(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种半导体机台的改良机构，其特征在于，包括：一蚀刻制程室，具有多个晶圆载盘与一溅射清洁装置；多个沉积制程室；以及一移转室，设置于该蚀刻制程室与所述的沉积制程室之间，并用于移转该蚀刻制程室与所述的沉积制程室内的多个晶圆。 | ||
| 地址 | 中国台湾苗栗县 | ||