制造半导体器件的方法以及利用该方法获得的半导体器件

摘要

本发明涉及一种制造具有衬底(11)和半导体主体(12)的半导体器件的方法，该半导体主体被提供了至少一个半导体元件(E)，并包括单晶硅(1)区域，在该单晶硅区域的顶部，通过在单晶硅区域(1)上提供金属硅化物区域(3)和在金属硅化物区域(3)上提供低结晶度硅区域(4)，来形成外延性硅区域(2)，此后，通过加热将低结晶度硅区域(4)转化为具有高结晶度的外延性硅区域(2)，在这个过程中，金属硅化物区域(3)从低结晶度硅区域(4)的底部被移动到外延性硅区域(2)的顶部。根据本发明，在金属硅化物区域(3)的水平面之上形成了具有开口(6)的绝缘层(5)，在开口(6)中和绝缘层(5)的顶部沉积低结晶度硅区域(4)，通过平面化工艺去除在绝缘层(5)顶部上的低结晶度硅区域(4)的部分(4A，4B)，此后，形成外延性硅区域(2)。以这种方式，可以很容易地获得外延性硅区域(2)(优选为纳米线)，以自对准方式对其提供了金属硅化物接触(区域)，其可以形成半导体元件(E)(例如晶体管)的一部分。

主权项

1.一种制造具有衬底(11)和半导体主体(12)的半导体器件的方法，该半导体主体(12)被提供有至少一个半导体元件(E)，并包括单晶硅(1)区域，在该单晶硅区域(1)的顶部，通过在单晶硅区域(1)上提供金属硅化物区域(3)和在金属硅化物区域(3)上提供低结晶度硅区域(4)，来形成外延性硅区域(2)，此后，通过加热将低结晶度硅区域(4)转化为具有高结晶度的外延性硅区域(2)，在这个过程中，金属硅化物区域(3)从低结晶度硅区域(4)的底部被移动到外延性硅区域(2)的顶部，其特征在于，在金属硅化物区域(3)的水平面之上形成了具有开口(6)的绝缘层(5)，在开口(6)中和绝缘层(5)的顶部沉积低结晶度硅区域(4)，通过平面化工艺去除在绝缘层(5)顶部上的低结晶度硅区域(4)的部分(4A，4B)，此后，形成外延性硅区域(2)。