| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在使用液相工艺制造器件时适用的调准方法。在包含使用液相法以在基板上形成功能膜的工序的器件的制造过程中，在形成所述功能膜(12)的基板(10)上，形成相对于在所述功能膜(12)之后形成的膜(13)显示形状的调准标记(AM1)，并使用该调准标记(AM1)对所述功能膜(12)之后的膜(13)进行调准。 | ||
| 申请公布号 | CN100435271C | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200510004240.X | 申请日期 | 2005.01.07 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 汤田坂一夫;田中英树 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/208(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括采用液相法在基板上形成平坦化膜的工序，其特征在于，还包括：在基板上形成第一膜和位于与所述第一膜相互分离的位置并且相对所述基板的高度高于所述第一膜的第二膜的工序；采用液相法在所述基板上涂敷液体材料，按照由所述第一膜引起的凹凸形状消失且由所述第二膜引起的凹凸形状残留的方式在所述基板上形成作为平坦化膜的第三膜的工序；在所述第三膜上形成非透光性的第四膜的工序；将所述第四膜的与所述第二膜重叠的部分所显现的形状作为调准标记使用，对所述第四膜进行图案化，在所述第三膜上形成第五膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||