硅晶片的制造方法

摘要

本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有的水溶液。

主权项

1.一种硅晶片的制造方法，其特征在于按顺序包括：将硅单晶锭切片得到薄圆板状硅晶片的切片工序，接着上述切片工序，利用供给喷嘴向单枚的上述硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述硅晶片旋转，使上述供给的蚀刻液扩展到整个晶片表面而进行蚀刻，将上述切片工序中在上述硅晶片表面生成的凹凸层和加工蚀变质蚀刻除去的单片式蚀刻工序(12)，和研磨上述硅晶片表面的研磨工序(14)；在上述单片式蚀刻工序中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，该酸蚀刻液是由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，且按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有所述氢氟酸、硝酸和磷酸的水溶液；并且在上述单片式蚀刻工序中，规定利用上述供给喷嘴供给的上述蚀刻液的供给量为2～30升/分钟，上述硅晶片的旋转速度为100～2000rpm。