多位单个单元存储元件及其制造的阵列

摘要

一种固态的、可直接重写的、电子的、非易失的、高密度的、低成本的高速的易制造的、多比特单一单元存储器，其特征是多稳的，非易失可检测局部原子和/或电子的有序结构，通过改变电输入信号的脉冲电压和持续时间，可以对该有序结构进行选择地和重复地存取。这里还公开了一类独特的微晶半导体材料，它可以在一种晶相中、被调制到不同费米能级位置的大动态范围内的任一个，同时，在整个范围保持实质不变的带隙，即使在调制电场移走后也是如此。

主权项

1.一种电操作的存储元件，包括：一种硫族元素化合物形成的大容量存储材料，能根据所选择输入的电信号在至少两个可电检测的状态之间被转换，其中，在每个所述可电检测的状态中，至少一部分所述大容量存储材料是晶体状态，所述大容量存储材料在电阻值的整个动态范围内具有多位存储能力，且不管所述存储材料的先前的阻值如何，能被直接设定为在所述动态范围内的多个电阻值中的任一个阻值，从而被直接覆盖写入，不需要先设定到一个特定的开始值或者先擦除电阻值；和一对彼此隔开设置的接触区，用来向所述大容量存储材料施加所述电输入信号。