发明名称 |
具有高反差标志的金属层的半导体器件及制造方法 |
摘要 |
一种功率半导体器件,它包括一个具有电活性第一和第二表面的半导体单元片。一个标志位于第二表面上,配置该标志以利于该器件的辨认,而在半导体单元片的第二表面以及标志上形成一金属层,配置该金属层以传导该器件的电流并使该标志清晰可见,以供辨认。 |
申请公布号 |
CN100435332C |
申请公布日期 |
2008.11.19 |
申请号 |
CN200510072987.9 |
申请日期 |
2005.05.25 |
申请人 |
半导体元件工业有限责任公司 |
发明人 |
肯特·凯姆;杰弗里·皮尔斯 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
1.一种功率半导体器件,包括:半导体单元片,它有一个第一表面和一个第二表面,其中该第一和第二表面是电活性的;位于第二表面上的识别标志,其中该识别标志从第二表面延伸到该半导体单元片中;以及在该半导体单元片的第二表面上以及识别标志上形成的一金属层,配置该金属层以传导该器件的电流并使得该识别标志可见。 |
地址 |
美国亚利桑那 |