闪存浮动栅极的制造方法

摘要

一种闪存浮动栅极的制造方法，先在提供的衬底之上依序形成衬垫氧化层及氮化硅层。接着，在衬底内形成数个浅槽，以均向回蚀缩小氮化硅层并对浅槽的角进行圆角化工艺，再沉积氧化硅材料填满浅槽以形成浅槽隔离结构，其中两两浅槽隔离结构之间定义出有源区。移除衬垫氧化层及氮化硅层，在有源区之上形成穿遂氧化层及第一多晶硅层，并且第一多晶硅层与浅槽隔离结构等高。在第一多晶硅层与浅槽隔离结构之上形成第二多晶硅层，移除部分位于浅槽隔离结构上的第二多晶硅层而定义出浮动栅极。

主权项

1.一种闪存浮动栅极的制造方法，在一衬底之上形成浮动栅极，该方法包括：依序形成一第一氧化层及一介电层于该衬底之上；图案化该介电硅层并以该图案化介电层为掩模，蚀刻该第一氧化层及该衬底以形成浅槽；均向蚀刻该图案化介电层以暴露出该些浅槽的角；以一热处理圆弧化该些角；形成浅槽隔离结构于该浅槽内以定义出一有源区；移除该第一氧化层及该介电层；形成一第二氧化层于该有源区之上；形成一第一导体层于该第二氧化层之上并与该些浅槽隔离结构等高；形成一第二导体层覆盖该第一导体层及该些浅槽隔离结构；以及以一光刻蚀刻制程移除部分位于该些浅槽隔离结构上之该第二导体层至该些浅槽隔离结构暴露出来为止。