| 发明名称 | 一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法。一种金属半导体场效应发光晶体管，包括衬底和衬底上的缓冲层；包括在缓冲层之上的第一高掺杂n型层及在第一高掺杂n型层之上依次生长的多量子阱层、p型层；包括在缓冲层之上的第二高掺杂n型层，第一高掺杂n型层与第二高掺杂n型层不相连；包括与第二高掺杂n型层欧姆接触的源电极、与p型层欧姆接触的漏电极；其特征在于缓冲层与第一高掺杂n型层、第二高掺杂n型层之间还包括低掺杂n型层，在衬底和缓冲层中嵌入了与低掺杂n型层相连的SiO<SUB>2</SUB>层；还包括与SiO<SUB>2</SUB>层肖特基接触的栅电极。本发明的金属半导体场效应发光晶体管减少了刻蚀损伤，使器件性能得到提升。 | ||
| 申请公布号 | CN101308895A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200810029426.4 | 申请日期 | 2008.07.14 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 郭志友;曾坤;赵华雄;高小奇;孙慧卿;范广涵 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 1、一种金属半导体场效应发光晶体管，包括衬底(10)和衬底(10)上的缓冲层(6)；包括在缓冲层(6)之上的第一高掺杂n型层(41)及在第一高掺杂n型层(4)之上依次生长的多量子阱层(3)、p型层(2)；包括在缓冲层(6)之上的第二高掺杂n型层(42)，第一高掺杂n型层(41)与第二高掺杂n型层(42)不相连；包括与第二高掺杂n型层(42)欧姆接触的源电极(8)、与p型层(2)欧姆接触的漏电极(1)；其特征在于缓冲层(6)与第一高掺杂n型层(41)、第二高掺杂n型层(42)之间还包括低掺杂n型层(5)，在衬底(10)和缓冲层(6)中嵌入了与低掺杂n型层相连的SiO2层(9)；还包括与SiO2层(9)肖特基接触的栅电极(7)。 | ||
| 地址 | 510630广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 | ||