栅电极及其制造方法

摘要

本发明的目的在于，提供一种增厚通过通常的电子束曝光形成的开口并缩小开口尺寸，由此可高效率地制造微细栅电极的方法。本发明的栅电极的制造方法包括：在栅电极形成面上，形成在最下层包含电子束保护层的叠层保护膜的叠层保护膜形成工序；在最下层以外的层形成开口的开口形成工序；在最下层形成栅电极用开口的栅电极用开口形成工序；选择性地缩小栅电极用开口的栅电极用开口缩小工序；在栅电极用开口形成栅电极的栅电极形成工序。优选方式为，栅电极用开口缩小工序是至少进行一次在最下层的表面涂布保护膜图形增厚材料，并使栅电极用开口的开口尺寸缩小的处理的工序，包括在栅电极用开口缩小工序之前，使电子束入射到栅电极用开口的附近的电子束入射工序等。

主权项

1.一种栅电极的制造方法，其特征在于包括：在栅电极形成面上，形成至少在最下层包含电子束保护层的叠层保护膜的叠层保护膜形成工序；在前述最下层以外的层形成开口的开口形成工序；在从前述开口露出的前述最下层形成栅电极用开口的栅电极用开口形成工序；选择性地缩小该栅电极用开口的栅电极用开口缩小工序；在该栅电极用开口形成栅电极的栅电极形成工序，还包括在前述栅电极用开口缩小工序之前，使电子束入射到栅电极用开口的附近的电子束入射工序，在前述电子束入射工序中入射的电子束的剂量不到使前述最下层显影的剂量。