半导体结构，形成多线条之方法，以及以单一光遮罩形成高密度结构与低密度结构之方法

摘要

一些具体实施例，其包括沿牺牲材料形成聚合物间隔件，移除该牺牲材料，且在积体电路制造期间将该等聚合物间隔件用作遮罩。该等聚合物间隔件遮罩可(例如)用以图案化一快闪记忆体阵列的快闪闸极。在一些具体实施例中，聚合物系横跨大牺牲结构及小牺牲结构同时形成。横跨大牺牲结构之聚合物系比横跨小牺牲结构的聚合物更厚，且厚度中之此差异系用以用单一光遮罩制造高密度结构及低密度结构。