薄膜电晶体之多晶矽层的钝化方法

摘要

本发明提供一种薄膜电晶体之多晶矽层的钝化方法，包含以下步骤：(a)于一透明基板上形成一多晶矽主动层；(b)依序于多晶矽主动层上局部地形成一闸极氧化层及一多晶矽闸极层；(c)于多晶矽主动层与多晶矽闸极层上覆盖一绝缘层；(d)对绝缘层施予氟离子布植或氮离子布植；(e)蚀刻绝缘层以于闸极氧化层与多晶矽闸极层的两侧面形成两侧壁子；(f)对多晶矽主动层施予离子布植以于该多晶矽主动层定义出一源极与一汲极；及(g)对源极与汲极施予活化处理并使该等侧壁子的离子向内扩散至多晶矽主动层。