氧化锌系薄膜

摘要

本发明系一种氧化锌系薄膜，其课题为题供于形成ZnO系薄膜于基板上之情况，为使平坦的膜成长之ZnO系薄膜，其中，在图1(a)中，于ZnO系基板1上，形成有ZnO系薄膜2，另外，在图1(b)之中，系于ZnO系基板1上，形成有为ZnO系薄膜之层积体的ZnO系层积体10，而ZnO系层积体10系为层积ZnO系半导体层3或ZnO系半导体层4等之复数ZnO系半导体层的层积体，而对于形成ZnO系薄膜2或ZnO系层积体10之情况，系以成长温度750℃以上进行成长，或者膜表面的粗度呈成为特定范围地，膜表面的阶层构造则成为特定的构造地形成。