发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置的交叠假镀型样。依据本发明一实施例,第一假镀型样,系形成于基板上;第二假镀型样,系与此第一假镀型样相交叠;以及第三假镀型样,系用于在此第一假镀型样与第二假镀型样之间进行电性连接。
申请公布号 TW200845115 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW097117300 申请日期 2008.05.09
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 李相熙;曹甲焕
分类号 H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 南韩