发明名称 离位掺杂之半导体传送层
摘要 本发明提供一种制造供电子设备使用之离位掺杂之半导体传送层之方法,该方法包括:在一胶体溶液中生长一第一组具有表面有机配位子的半导体奈米粒子;在一胶体溶液中生长一第二组具有表面有机配位子的掺杂剂材料奈米粒子;在一表面上沈积该第一组半导体奈米粒子与该第二组掺杂剂材料奈米粒子之混合物,其中半导体奈米粒子多于掺杂剂材料奈米粒子;对奈米粒子之该沈积混合物执行一第一退火,使得该等有机配位子自该第一组及该第二组奈米粒子之表面蒸离;对该沈积之混合物执行一第二退火,使得该等半导体奈米粒子熔合以形成一连续半导体层,且掺杂剂材料原子自该等掺杂剂材料奈米粒子中扩散出来并进入该连续半导体层中。
申请公布号 TW200845149 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW096149078 申请日期 2007.12.20
申请人 柯达公司 发明人 凯司B 卡汉
分类号 H01L21/22(2006.01) 主分类号 H01L21/22(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国