| 摘要 |
本发明揭示一种半导体结构10，其包括布置于一n型区域与一p型区域之间的一发光区域12。经组态用以吸收该发光区域发射的第一束光之一部分并发射第二束光的一波长转换材料20、24、27系布置在该第一束光之一路径中。一滤光器22、26、32、34系布置在该第一与第二束光之一路径中。在某些具体实施例中，该滤光器吸收或反射具大于一预定强度之一强度的第一束光部分。在某些具体实施例中，该滤光器吸收或反射该第二束光之一部分。在某些具体实施例中，将一数量之滤光器材料布置在该第一与第二束光之该路径中，然后侦测穿过该滤光器的该第一与第二束光之相关色温(CCT)。可移除滤光器材料以将该侦测之相关色温修正为一预定相关色温。 |
