半导体装置及其之制造方法

摘要

揭露一种半导体装置，其包括一备制数个胞元主动区于一胞元区内之矽基材，一形成于介于该数个胞元主动区的任何2个之间的该矽基材的一部件中的元件隔离沟槽，一形成于该元件隔离沟槽之中的电容器介电膜，一形成于该电容器介电膜之上的电容器上部电极，且与该矽基材和该电容器介电膜一起装配成一电容器。该半导体装置系特征在于一虚设的主动区系被备制于该矽基材中、紧邻着该胞元区。