矽单结晶晶圆的制造方法

摘要

本发明系一种单结晶矽晶圆的制造方法，是制造单结晶矽晶圆的方法，其特征为：在氧化性气氛下，对藉由切克劳斯基法所制作的径向全面为N区域的单结晶矽晶圆，进行快速热处理，接着除去在该氧化性气氛下的快速热处理所形成的氧化膜之后，在氮化性气氛、Ar气氛、或这些气体的混合气氛下，进行快速热处理。藉此，可提供一种能够价格低廉地制造单结晶矽晶圆的方法，该单结晶矽晶圆系于晶圆表层形成有DZ层、元件特性优良，同时在基体区域内，充分地形成可发挥作为吸气部位之氧析出物。