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发明名称
一次性可程式化单元及具有其之记忆体装置
摘要
本发明提供一次性可程式化单元及具有其之记忆体装置,其包括:一第一金属氧化物半导体(MOS)电晶体,其经组态以回应于一读取控制信号而在一第一节点与一第二节点之间形成一电流路径;一第二MOS电晶体,其经组态以回应于一写入控制信号而在一第三节点与该第二节点之间形成一电流路径;及一抗熔丝,其连接于该第二节点与一接地电压端子之间,其中施加至该第二节点之一电压经输出作为一输出信号。
申请公布号
TW200845017
申请公布日期
2008.11.16
申请号
TW097105494
申请日期
2008.02.15
申请人
美格纳半导体有限公司
发明人
辛昌熙;曹基锡
分类号
G11C17/16(2006.01)
主分类号
G11C17/16(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
南韩
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