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发明名称
用于抛光碳化矽单晶基材的水基抛光浆以及抛光方法
摘要
一种用于抛光碳化矽单晶的水基抛光浆,其中该浆包含具有1至400奈米平均粒子尺寸的磨蚀剂粒子及无机酸,且该浆具有在20℃下低于2的pH值。
申请公布号
TW200845167
申请公布日期
2008.11.16
申请号
TW096150284
申请日期
2007.12.26
申请人
昭和电工股份有限公司
发明人
小古井久雄;小柳直树;口泰之
分类号
H01L21/304(2006.01);C09K3/14(2006.01);C30B29/36(2006.01)
主分类号
H01L21/304(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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