发明名称 用于抛光碳化矽单晶基材的水基抛光浆以及抛光方法
摘要 一种用于抛光碳化矽单晶的水基抛光浆,其中该浆包含具有1至400奈米平均粒子尺寸的磨蚀剂粒子及无机酸,且该浆具有在20℃下低于2的pH值。
申请公布号 TW200845167 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW096150284 申请日期 2007.12.26
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 小古井久雄;小柳直树;口泰之
分类号 H01L21/304(2006.01);C09K3/14(2006.01);C30B29/36(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本