半导体晶圆及其制造方法

摘要

本发明涉及一种包括以下给定顺序之层的半导体晶圆：一实质上由矽所构成的单晶基底晶圆(1)；一包含电绝缘材料组成的第一非晶形中间层(2)，其厚度为2奈米至100奈米；一单晶态的第一氧化物层(3)，其具有立方Ia-3晶体结构及(Me1#sB!2#eB!O#sB!3#eB!)#sB!1-x#eB!(Me2#sB!2#eB!O#sB!3#eB!)#sB!x#eB!的组成，其中Me1和Me2均为金属且0≦x≦1，以及具有一与该基底晶圆的材料的晶格常数差异为0％至5％之晶格常数。本发明还涉及一种透过磊晶沉积制造该半导体晶圆的方法。