半导体装置

摘要

提供可以推进行动电话等所使用之RF功率模组小型化之技术。在形成RF功率模组之放大部之半导体晶片内部形成方向性结合器。在与连接于将成为半导体晶片之放大部的LDMOSFET之汲极区域的汲极配线35c同层上，形成方向性结合器之副线路32。依此，将特定之汲极配线35c当作主线路，在隔着绝缘膜平行配置于其主线路之副线路32构成方向性结合器。