发明名称 | 成膜方法,成膜装置及记忆媒体 | ||
摘要 | 以使固体原料昇华后取得的金属原料错合物例如醋酸铜的气体作为原料气体来供给至基板,而藉由此原料气体的化学反应在基板上使金属铜成膜时,可大幅度压制原料气体的消费量。对处理容器内供给使固体原料昇华后取得的原料气体,使固体原料吸附于处理容器内的吸附脱离构件。其次停止原料气体的供给及排气,而使处理容器成为密闭空间。然后,加热基板的同时,使原料从吸附脱离构件脱离,而使该原料化学反应于基板上,在基板上形成薄膜。 | ||
申请公布号 | TW200845198 | 申请公布日期 | 2008.11.16 |
申请号 | TW097111202 | 申请日期 | 2008.03.28 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 伊藤仁 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |