用于制造相变记忆材料的碲（Ｔｅ）前驱物

摘要

本案公开了用于制造相变材料的碲（Te）前驱物，特别是含碲（Te）前驱物、含Te硫属元素化物相变材料。说明书中还公开了使用ALD、CVD或循环CVD法制造含Te硫属元素化物相变材料的方法，其中至少一种公开的含碲（Te）前驱物引入该方法。