发明名称 | 场发射阴极及其制备方法 | ||
摘要 | 一种场发射阴极,其包括一导电基底和一奈米碳管薄膜,其中,该奈米碳管薄膜包括择优取向排列的多个奈米碳管束首尾相连且平行于导电基底设置,部分奈米碳管从该奈米碳管薄膜中突出。本发明还涉及一种场发射阴极的制备方法,其包括以下步骤:提供一导电基底;提供至少一层奈米碳管薄膜,该奈米碳管薄膜包括择优取向排列的多个奈米碳管束首尾相连,部分奈米碳管从该奈米碳管薄膜中突出;以及将上述奈米碳管薄膜粘附固定于上述导电基底形成场发射阴极。 | ||
申请公布号 | TW200845084 | 申请公布日期 | 2008.11.16 |
申请号 | TW096116825 | 申请日期 | 2007.05.11 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 付伟琦;柳鹏;冯辰;张晓波;姜开利;刘亮;范守善 |
分类号 | H01J29/04(2006.01);H01J9/02(2006.01) | 主分类号 | H01J29/04(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |