矽单晶之制造方法

摘要

[课题]提供：可将结晶轴方位为[110]之无差排（dislocation）的矽单晶，稳定地育成之矽单晶的制造方法。[解决手段]藉由上拉法（Czochralski method）的矽单晶之育成方法，系使用硼浓度为1.7×10#sP!19#eP! atoms／cm#sP!3#eP!以上之种晶，将由晶颈部终端到肩部而形成之圆锥部的开口角（θ），作为120～50°而形成肩部，来育成结晶轴方位为[110]的矽单晶。若将在育成时的晶颈部的直径设为5～10 mm，则可变得比通常采用的晶颈部直径还粗。