发明名称 单晶育成装置
摘要 藉由柴可劳斯基法(Czochralski method)而在炉体内从原料融液育成单晶的单晶育成装置,系具备:包围在炉体内从原料融液所育成的单晶,藉由流通在内部的冷却水冷却而将单晶加以冷却之冷却体、和检测出向此冷却体的冷却水流入流量之第1流量计、和检测出从冷却体的冷却水流出流量之第2流量计、和检测炉体内的压力之压力计、和控制部。控制部,系在藉由以第1流量计以及第2流量计检测出的流入流量及流出流量而算出流量差的同时、藉由以压力计而检测出的压力而算出每单位时间的压力变动,在流量差和压力变动系大约同时超过阈值的情况,判断为漏水。藉由此,单晶育成装置,系一边使用冷却体而谋求上拉速度的高速化、同时可以高精确度检知从该冷却体之漏水。
申请公布号 TW200844270 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW097109661 申请日期 2008.03.19
申请人 上睦可股份有限公司 发明人 滨田建;稻见修一;高濑伸光;四井拓也
分类号 C30B15/00(2006.01);C30B29/06(2006.01);H01L21/20(2006.01) 主分类号 C30B15/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本