发明名称 一种二阶段背式蚀刻之方法
摘要 一种二阶段背式蚀刻之方法,此方法包含先提供已具有数层硬罩幕层之基板。接着,第一次背蚀刻基板背面与侧边,以移除基板背面与侧边之部分硬罩幕层。然后,依序图案化硬罩幕层与基板,以于基板内形成数个沟渠。最后,在进行一湿槽清洗步骤之前,第二次背蚀刻基板侧边,以移除位于基板侧边之针状结构。
申请公布号 TW200845302 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW096116527 申请日期 2007.05.09
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 王彦鹏
分类号 H01L21/8242(2006.01);H01L21/306(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼