非晶质氧化物半导体薄膜、其制造方法、薄膜电晶体之制造方法、场效电晶体、发光装置、显示装置及溅镀标靶

摘要

本发明之目的系提供一种藉由将铟、锡、锌之量适当化，而不溶于磷酸类蚀刻液且可溶于草酸类蚀刻液之非晶质氧化物半导体薄膜及其制造方法等。本发明之图像显示装置具有玻璃基板、作为光控制元件之液晶、用以驱动该液晶之底闸极型薄膜电晶体、像素电极及相对电极。底闸极型薄膜电晶体之非晶质氧化物半导体薄膜系载体密度小于10#sP!+18#eP!㎝#sP!-3#eP!，且相对于磷酸类蚀刻液为不溶并且相对于草酸类蚀刻液为可溶者。