沟渠式半导体元件之结构及其制造方法

摘要

一种沟渠式半导体元件之结构及其制造方法系被揭露。此方法包含下列步骤：形成深沟渠(deep trench)于一半导体基材内，且此深沟渠具有一上部及一下部；形成一沟渠式电容元件(trench capacitor unit)于该下部；形成单侧埋入式带状层结构于该上部；形成具有一开口之一光阻层覆盖于半导体基材上，且开口暴露出部份之半导体基材与深沟渠，而于暴露出部份之半导体基材上定义出一接合区域(junction area)﹔以光阻层为遮罩，移除接合区域之部份半导体基材，而形成一凹槽于接合区域﹔于凹槽底部形成一接合介电层(junction dielectric layer)﹔以及形成传导带于接合介电层上并填满凹槽。