动态随机存取记忆体的结构

摘要

本发明之DRAM结构包含一基材、一MOS电晶体、一沟渠电容，以及一表面导电带，该表面导电带凸出于基材表面，用来电连接该MOS电晶体的汲极与该沟渠电容的一电极，其中该表面导电带之侧壁和上表面被一绝缘层覆盖。一通过闸极位于该绝缘层上方。