| 摘要 |
〔课题〕消除晶圆之膜厚不均，提高研磨效率以图谋降低维持费用(running cost)及提升良率。〔解决手段〕CMP装置1系具备测定研磨前之晶圆的膜厚的膜厚监视设备6、使晶圆的研磨速度、研磨压力等之研磨条件能成为最适当地作成研磨条件之研磨秘诀作成设备7、依据最适当研磨条件及前述测定值来预测该晶圆的研磨时间之研磨时间预测设备、和测定晶圆的实际研磨时间之研磨时间测定设备、及依据该研磨时间的测定值等而进行研磨条件的管理等之电脑9。再者，电脑9具备算出前述研磨时间的测定值与预测值之差的算出部23、及使该算出的差能成为最小般地修正、变更前述研磨条件的研磨条件修正、变更部24，且尽可能即时进行研磨条件之修正、变更。 |
