肖特基能障二极体及其制造方法

摘要

本发明提供一种肖特基能障二极体，包括：磊晶成长层，其形成于基板上，且具有台面部；以及肖特基电极，其形成于台面部上；且肖特基电极之端部与台面部之上表面端部之间的距离为2 μm以下，藉由使距离x为2 μm以下，可显着降低泄漏电流，使崩溃电压提高，故耐压特性优良。