| 摘要 |
覆晶电子装置(40，70，80，90)采用若干凸块(42，72，82)以用于耦合至一外部基板。若干装置单元(43，73，83，93)及若干凸块(42，72，82)较佳地被安排成若干群集(46)，其中四个凸块(42，72，82)大体上环绕每一装置单元(43，73，83，93)或形成装置单元(43，73，83，93)处于形之交叉点的一个形。理想地，该等凸块(42，72，82)以允许的最小凸块(42，72，82)间距(L#sB!m#eB!)分开。典型地，每一装置单元(43，73，83，93)依赖于整体功能而包含一或多个主动装置区域(44，74，86，96)。复合装置(40，70)系由群集(46)之X-Y阵列形成，其中相邻群集(46)可共用若干凸块(43，73，83，93)及/或若干装置单元(43，73，83，93)。在一较佳实施例中，该等凸块(42，82)形成装置(40，80，90)的外部周界(48)。装置最大温度及整体杂讯被降低。 |
