制造绝缘闸场效电晶体之方法

摘要

本发明揭示一种制造绝缘闸场效电晶体的方法，该方法包括以下步骤：(a)制备一基底，其包括源极/汲极区、一通道形成区、一形成在该通道形成区上之闸绝缘膜、一覆盖该等源极/汲极区之绝缘层，及一在该通道形成区上之绝缘层的一部分中提供之闸电极形成开口；(b)藉由在该闸电极形成开口中埋入一导电材料层形成一闸电极；(c)移除该绝缘层；及(d)横跨一整个表面顺序地沈积一第一层间绝缘层及一第二层间绝缘层，其中在该步骤(d)中，该第一层间绝缘层系在不包含氧原子之沈积蒙气中沈积。