用以增强记忆装置之保留特性的方法

摘要

本发明系经由执行一保留改善程序来改善一记忆装置保留特性之方法。而该保留改善程序包含，一烘烤流程，将该记忆装置安置于一高温环境下；一确认流程，决定记忆装置记忆胞的逻辑状态；以及一重新程式化流程，经由在一0-状态程式化记忆胞至一高临界电压状态，而再次地程式化该记忆装置。在烘烤步骤中，安置该记忆装置于一高温环境下，经由释放浅层捕捉电荷来造成一电荷流失，使得保存可靠度获得改善。