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Circuito para la protección contra sobrecorriente y sobretemperatura de interruptores semiconductores de potencia (2) o de módulos semiconductores de potencia basados en éstos compuesto por un circuito de protección contra sobrecorriente en forma de control VCEsat o VDson, que consta de una fuente de tensión (VM), un elemento de comparación (10), un diodo rápido de alto bloqueo (6) y una fuente de tensión de referencia (VRef), y donde la entrada de referencia del elemento de comparación (10) está conectada al polo positivo de la fuente de tensión de referencia (V Ref) y cuyo polo negativo se encuentra sobre el potencial de la salida de corriente del interruptor semiconductor de potencia (2) que debe controlarse, el ánodo del diodo (6) está conectado a través de una resistencia (4) con la fuente de tensión (VM), al igual que la segunda entrada del elemento de comparación (10), y el cátodo del diodo (6) está conectado con la resistencia PTC (20) y ésta con la entrada de corriente del interruptor semiconductor de potencia (2).
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