发明名称 LASER SEMI-CONDUCTEUR A CONTRE-REACTION REPARTIE FORTE
摘要 La présente invention concerne un laser semi-conducteur à contre-réaction répartie forte. Plus précisément, l'invention met en oeuvre un guide optique supérieur (2) pour laser semi-conducteur possédant un réseau métallique de surface (5) permettant d'obtenir une contre-réaction répartie stable et maîtrisée, selon une technologie simple et robuste.Dans le laser selon l'invention, qui comporte une zone active (1) présentant un indice de réfraction effectif (neff) dans laquelle se propage une onde lumineuse présentant une longueur d'onde (À), le guide supérieur (2) est constitué d'un matériau faiblement dopé et le réseau périodique (5) présente des créneaux dont la profondeur (p) vaut plus ou moins cinquante pourcents, la faible précision nécessaire étant un des avantages du laser selon l'invention.
申请公布号 FR2916092(A1) 申请公布日期 2008.11.14
申请号 FR20070003389 申请日期 2007.05.11
申请人 THALES SOCIETE ANONYME 发明人 CARRAS MATHIEU;DE ROSSI ALFREDO
分类号 H01S5/12 主分类号 H01S5/12
代理机构 代理人
主权项
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