发明名称 Verfahren zum Betrieb eines Speicherbauelements und elektronisches Bauelement
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Betrieb eines Speicherbauelements mit einer Mehrzahl von Speicherzellentransistoren, die seriell in einer Kette zwischen einen Kettenauswahltransistor und einen Masseauswahltransistor eingeschleift sind, wobei der Kettenauswahltransistor zwischen die Kette und die Bitleitung eingeschleift ist und der Masseauswahltransistor zwischen die Kette und eine gemeinsame Sourceleitung eingeschleift ist, und auf ein diesbezügliches elektronisches Bauelement. Gemäß der Erfindung wird einer der Mehrzahl von Speicherzellentransistoren in der Kette für einen Programmiervorgang ausgewählt, wobei andere Speicherzellentransistoren in der Kette nicht ausgewählt sind, und während des Programmiervorgangs wird eine Mehrzahl von Spannungsimpulsen an einen Kanalbereich des ausgewählten Speicherzellentransistors angelegt, eine Passierspannung wird an Steuergateelektroden der nicht ausgewählten Speicherzellentransistoren angelegt, und eine Programmierspannung wird an eine Steuergateelektrode der ausgewählten Speicherzelle angelegt, während die Mehrzahl von Spannungsimpulsen an den Kanalbereich des ausgewählten Speicherzellentransistors angelegt wird. Die Spannungsimpulse sind negative Spannungsimpulse, die Passierspannung ist eine positive Passierspannung, und eine Programmierspannung ist eine positive Programmierspannung, und/oder eine Differenz zwischen einem an den Kanalbereich angelegten Spannungsimpuls und der an die Steuergateelektroden ...
申请公布号 DE102008023819(A1) 申请公布日期 2008.11.13
申请号 DE200810023819 申请日期 2008.05.07
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 LEE, SEUNGWON
分类号 G11C16/10 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人
主权项
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