| 发明名称 | 栅介质层测试控片及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种栅介质层测试控片，包括：晶片；位于晶片上的栅介质层；掩膜层，位于栅介质层上且覆盖栅介质层。本发明还提供一种栅介质层测试控片的形成方法，使栅介质层厚度不产生变化，进而提高测试精度，降低后续工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101303991A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200710040598.7 | 申请日期 | 2007.05.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 黄柏喻;陆肇勇;陆文怡;战玉讯;丁敬秀;聂广宇 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种栅介质层测试控片，包括：晶片，位于晶片上的栅介质层，其特征在于，还包括：掩膜层，位于栅介质层上且覆盖栅介质层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||