发明名称 磁记录介质,磁记录介质的基底和磁记录装置
摘要 一种磁记录介质包括:具有记录磁道(11)和隔离记录磁道(11)的隔离区域(12)的基底(1),有凸起和凹陷图形形成于其上的隔离区域(12),以及沉积在基底(1)上的记录薄膜(2,3),其中,记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于2nm且小于等于7nm,记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于10nm。
申请公布号 CN100433135C 申请公布日期 2008.11.12
申请号 CN200610094224.9 申请日期 2006.06.27
申请人 株式会社东芝;昭和电工株式会社 发明人 樱井正敏;喜喜津哲;冈正裕
分类号 G11B5/82(2006.01);G11B5/667(2006.01) 主分类号 G11B5/82(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 杨晓光;李峥
主权项 1.一种磁记录介质,包括:具有记录磁道(11)和隔离所述记录磁道(11)的隔离区域(12)的基底(1),该隔离区域(12)具有形成于其上的凸起和凹陷图形;以及沉积在所述基底(1)上的记录薄膜(2,3),其特性在于,所述记录磁道(11)顶部和所述隔离区域(12)顶部间的高度差大于等于2nm且小于等于7nm,所述记录磁道(11)顶部和所述隔离区域(12)底部间的高度差大于等于10nm。
地址 日本东京都