发明名称 |
磁记录介质,磁记录介质的基底和磁记录装置 |
摘要 |
一种磁记录介质包括:具有记录磁道(11)和隔离记录磁道(11)的隔离区域(12)的基底(1),有凸起和凹陷图形形成于其上的隔离区域(12),以及沉积在基底(1)上的记录薄膜(2,3),其中,记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于2nm且小于等于7nm,记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于10nm。 |
申请公布号 |
CN100433135C |
申请公布日期 |
2008.11.12 |
申请号 |
CN200610094224.9 |
申请日期 |
2006.06.27 |
申请人 |
株式会社东芝;昭和电工株式会社 |
发明人 |
樱井正敏;喜喜津哲;冈正裕 |
分类号 |
G11B5/82(2006.01);G11B5/667(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/82(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
杨晓光;李峥 |
主权项 |
1.一种磁记录介质,包括:具有记录磁道(11)和隔离所述记录磁道(11)的隔离区域(12)的基底(1),该隔离区域(12)具有形成于其上的凸起和凹陷图形;以及沉积在所述基底(1)上的记录薄膜(2,3),其特性在于,所述记录磁道(11)顶部和所述隔离区域(12)顶部间的高度差大于等于2nm且小于等于7nm,所述记录磁道(11)顶部和所述隔离区域(12)底部间的高度差大于等于10nm。 |
地址 |
日本东京都 |