发明名称 提高光纤预制件中低包层-纤芯比(D/d)的芯棒的D/d比
摘要 通过将多个芯体块端对端地插入到玻璃套筒中制造光纤预制件,其中芯体块的包层-纤芯直径比(D/d)在1-4的范围内。套筒和插入其中的芯体块垂直地安装在炉上并被加热,使得套筒拉长,其外径缩小而形成芯棒,从该芯棒可以截取D/d比大于5的芯棒段。灰渣外包层沉积在芯棒段的圆周上,直到沉积灰渣的直径构造成预定的值。芯棒段和沉积灰渣外包层被固结以形成制成的光纤预制件。预制件的D/d比优选地大约为15或更大,光纤可以直接从预制件中拉制。
申请公布号 CN101302076A 申请公布日期 2008.11.12
申请号 CN200710185118.6 申请日期 2007.10.30
申请人 古河电子北美公司 发明人 埃里克·L·巴里什;约瑟夫·P·弗莱彻三世;吴风清
分类号 C03B37/012(2006.01) 主分类号 C03B37/012(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 柴毅敏
主权项 1.一种制造用于光纤预制件的芯棒的方法,其特征在于:选择多个芯体块,其中所述芯体块的包层对纤芯直径比(D/d)在1-4的范围内;将芯体块端对端地插入具有预定的内外径的玻璃套筒中;将玻璃套筒和插入其中的芯体块相对于炉子垂直地安装;在炉子中加热玻璃套筒,从而将套筒和插入其中的芯体块拉长,并将套筒的外径缩小到预定的尺寸以形成D/d比大于5的制成的芯棒。
地址 美国佐治亚