发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A POLYCRYSTALLINE DIODE
摘要 A semiconductor device consisting of a single crystal region, a polycrystalline region integrally formed on the single crystal region and a PN junction formed in the polycrystalline region.
申请公布号 US3651385(A) 申请公布日期 1972.03.21
申请号 USD3651385 申请日期 1969.09.16
申请人 SONY CORP. 发明人 ISAMU KOBAYASHI
分类号 C23C16/24;H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3215;H01L21/763;H01L27/06;H01L29/00;(IPC1-7):H01L3/00 主分类号 C23C16/24
代理机构 代理人
主权项
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