电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法

摘要

本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10^-2Pa，衬底温度100℃，电子枪电压-8.0kV等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜，薄膜材料的光学透过率为90％，电阻率为2.168×10^-4Ω·cm，方块电阻为22Ω，厚度为100nm，霍尔系数为-4.55×10^-2m²/v，迁移率为21.4cm²/v·s，其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求，减小太阳电池串联电阻，提高输出效率。

主权项

1.一种电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法，其特征在于包括下述步骤：1)将衬底用电子清洗剂蹭拭并超声清洗后，用去离子水冲洗数遍，再用氮气吹干并烘干水汽，置入光学镀膜系统的真空钟罩内抽真空，并同时对其进行加热；2)待衬底均匀加热至100℃后，通入氧气，调节流量，使得氧气分压保持在5.0×10-2Pa；3)打开电子枪，电子枪电压-8.0kV，调节轰击到膜材上的电子束斑大小为3×3，调整蒸发束流7.5mA，预蒸发1分钟，对膜材进行除气和除去表面污染的杂质，然后才打开挡板开始往衬底上沉积薄膜；4)调节束流由7.5mA逐渐加大，最大束流16mA，待束流稳定后开始进行蒸发。