| 发明名称 | 半导体装置制造方法、半导体装置、电路基板 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，准备具有有源面、和与所述有源面相反的一侧的背面的半导体晶片，在所述半导体晶片的所述有源面形成分别具有半导体元件的多个半导体区域，在所述半导体晶片的所述有源面，在所述半导体区域的外周形成切断区域，在所述切断区域形成不贯通所述半导体晶片的第一槽部，在所述半导体晶片的所述背面，在对应于所述切断区域的位置形成不贯通到第一槽部的第二槽部，并通过对所述半导体晶片的所述背面实施各向同性蚀刻，减薄所述半导体晶片的厚度，连结所述第一槽部与所述第二槽部，并按每个所述半导体区域分割所述半导体晶片，得到被单片化的多个半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN100433250C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200610092747.X | 申请日期 | 2006.06.13 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 深泽元彦 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01L21/301(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其中，包括如下步骤：准备具有有源面和与所述有源面相反的一侧的背面的半导体晶片，在所述半导体晶片的所述有源面形成分别具有半导体元件的多个半导体区域，在所述半导体晶片的所述有源面，在所述半导体区域的外周形成切断区域，在所述切断区域形成不贯通所述半导体晶片的第一槽部，在所述半导体晶片的所述背面，在对应于所述切断区域的位置形成不贯通到第一槽部的第二槽部，并通过对所述半导体晶片的所述背面实施各向同性蚀刻，减薄所述半导体晶片的厚度，连结所述第一槽部与所述第二槽部，并按每个所述半导体区域分割所述半导体晶片，得到被单片化的多个半导体装置。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||