| 发明名称 | 半导体装置的制造方法以及成膜系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由CF构成的绝缘膜(91)。在该绝缘膜(91)上形成含有SiCN膜(93)的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜(94)。当形成保护层时，利用含有硅和碳的活性种的等离子体，在绝缘膜(91)上形成SiC膜(92)，利用含有硅、碳和氮的活性种的等离子体，在SiC膜(92)上形成SiCN膜(93)。 | ||
| 申请公布号 | CN100433294C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200580002360.4 | 申请日期 | 2005.01.13 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小林保男;西泽贤一;龟嶋隆季;松冈孝明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成由加氟的碳所构成的绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成含有加氮的碳化硅膜构成的保护层的工序；以及利用含有硅、碳和氧的活性种的等离子体，在所述保护层上形成由加氧的碳化硅构成硬掩模用的薄膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||